삼성전자와 하이닉스가 차세대 반도체 개발

반도체업계 1, 2위에 있는 삼성전자와 하이닉스가 차세대 반도체 개발과 국제 표준화, 장비.재료의 국산화 확대 등 3대 기술협력에 나서기로 전격 합의했다.

또 차세대 반도체 제품과 장비.재료 시장의 선점 등을 위해 사상 처음으로 국내 업계가 공동으로 표준화 전략을 추진한다.

지식경제부는 25일 삼성전자와 하이닉스가 3대 기술협력을 적극 추진하기로 합의해 9월부터 테라비트급 차세대 반도체(STT-R램)의 원천기술 개발을 위한 공동 연구개발(R&D)을 시작한다고 밝혔다.

양사는 2012년부터 시장이 형성될 것으로 예상되는 STT-M램을 중점 개발할 계획이다. STT-M램은 스핀주입 자화반전방식 메모리로 비휘발성이지만 S램급의 초고속 동작이 가능하다.

개발 방식은 1990년대 삼성과 LG, 현대 등 반도체 3사가 64메가 D램을 공동개발한 구조와 같은 것으로 업계는 소재 개발과 성능 평가를 맡고 정부는 공동 연구인프라의 장비 투자를 지원한다.

현재 초기 개발 단계인 STT-M램의 원천기술을 2012년까지 확보한다면 연간 로열티를 5000억원 정도 절감할 수 있을 것으로 추정된다.

삼성전자와 하이닉스는 또 반도체 장비.재료의 실질적인 국산화율을 높이기 위한 자체 국산화 전략을 추진해 내년까지 모두 6463억원 규모의 국산 장비와 재료를 추가 구매키로 했다.

아울러 지경부와 반도체 업계는 대기업과 중소기업 간 기술 지원으로 반도체 장비와 소재의 국산화를 확대하기 위해 업계 공동의 표준화 전략을 사상 처음으로 추진키로 했다.

업계는 2012년 이후 반도체 생산은 450㎜ 웨이퍼 공정으로 전환될 것으로 예상됨에 따라 450㎜ 장비와 재료에 대한 국제표준을 선점한다는 전략이다.

이를 위해 지경부는 8월 중 산.학.관 공동의 '한국 반도체 표준화 협의체'(KSSA)를 구성하고 장비와 재료, 제품 등 3개 분야별 실무반을 운영할 계획이다.