삼성전자, 초미세 20나노 D램 '대한민국기술대상' 대통령상 수상

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입력 2014-11-13 11:02
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20나노 4Gb DDR3 D램 [사진제공=삼성전자]



아주경제 박현준 기자 =삼성전자는 자사의 초미세 20 나노 D램이 ‘2014 대한민국 기술대상’에서 대통령상을 받는다고 13일 밝혔다.

이로써 삼성전자는 지난 2012년 ‘갤럭시 노트2’, 2013년 3차원 셀 구조 V낸드에 이어 3년 연속 ‘대한민국 기술대상’ 대통령상을 받게 됐다.

지난 3월 세계 최초로 양산에 성공한 20 나노 D램은 현재까지 삼성전자만 생산하고 있다.

아울러 삼성전자는 벤더블 UHD TV, 광대역 LTE-A 스마트폰, 개인용 냉∙난방 기기를 위한 초소형 압축기 기술이 장관상을 받았다.

2014 대한민국 기술대상 시상식은 이날 오후 4시부터 서울 양재동 엘타워에서 정부, 학계 주요 인사와 산업계 최고경영자들이 참여한 가운데 열린다.

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