SK하이닉스 "TSMC 협력 강화… HBM4 성능 높일 것"

OIP 포럼서 HBM3E 및 엔비디아 칩 전시

고객사·파운드리·메모리 3자 기술 협력 부각

SK하이닉스 부스 내 HBM3E와 함께 전시된 H200 [사진=SK하이닉스]

SK하이닉스는 25일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 개최된 TSMC 'OIP 에코시스템 포럼 2024'에 참가해 5세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM3E와 엔비디아의 H200 칩셋 보드를 전시했다고 밝혔다.

TSMC와의 전략적 파트너십을 강조한 SK하이닉스는 10나노급 6세대(1c) 공정 기반의 DDR5 RDIMM을 세계 최초로 공개했다.

OIP는 TSMC가 반도체 생태계 기업과 기술을 개발하고 협업하기 위해 운영 중인 개방형 혁신 플랫폼이다. 반도체 설계, 생산 등 다양한 기업이 이 플랫폼에 참여하고 있다.

OIP 포럼은 이들 기업이 신제품과 기술을 교류하는 자리로, TSMC는 매년 하반기 OIP 구성원과 주요 고객사를 초청해 미국, 일본, 대만 등 세계 각국에서 행사를 개최한다. 지난해에는 6개 지역에서 150개 이상의 전시와 220개 이상의 발표가 진행됐으며, 5000여명의 관계자가 모여 활발한 기술 교류를 펼쳤다.

올해 처음으로 이 행사에 참여한 SK하이닉스는 'MEMORY, THE POWER OF AI'를 주제로 부스를 마련해 다양한 AI 메모리를 선보였다. 특히 HBM3E와, 이 메모리가 장착되는 H200을 공동 전시하며 주목받았다. 고객사·파운드리·메모리 3자 기업의 기술 협력을 부각한 것이다. H200에 탑재되는 HBM3E 12단은 36GB 용량과 초당 1.2TB 속도를 자랑한다.

함께 공개한 DDR5 RDIMM은 차세대 미세화 공정이 적용된 D램으로, 초당 8Gb 동작 속도를 낸다. 이전 세대 대비 11% 빨라진 속도와 9% 이상 개선된 전력 효율을 자랑하며, 데이터센터 적용 시 전력 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있을 것으로 기대된다.

SK하이닉스는 이번 행사에서 HBM4(6세대) 개발 방향과 비전도 언급했다. 이병도 SK하이닉스 TL(HBM PKG TE)은 "TSMC 베이스 다이를 활용해 HBM4의 성능과 효율을 높일 것"이라며 "어드밴스드 MR-MUF 또는 하이브리드 본딩 기반의 HBM4 16단 제품을 개발해 시장의 고집적 요구를 충족할 계획"이라고 밝혔다.

SK하이닉스는 앞으로도 OIP 구성원과 꾸준히 협업하고 TSMC와의 협력을 지속해 전략적 관계를 강화해 나갈 방침이다.