하이닉스, 세계 최고 성능 모바일D램 개발

 

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 54나노 기술을 적용해 세계 최고 성능의 1기가비트(Gb) 모바일 LPDDR2(Low Power DDR2) D램 제품을 개발했다고 27일 밝혔다.

이 제품은 세계 최초로 평균 1.2V의 저전압에서 초고속 데이터 전송속도인 1066Mbps를 구현할 수 있어 공정 기술 및 전압, 속도 측면에서 세계 최고 성능을 갖춘 모바일 D램이라고 하이닉스는 설명했다.

새 제품은 평균 1.2V, 최대 1.14V의 저전압을 구현할 수 있어서 1.8V를 사용하는 기존 모바일 D램(DDR)의 50% 수준, PC DDR2 제품의 30% 수준의 전력으로 동작할 수 있다.

또한 보통 길이의 영화 5~6편을 1초에 다운로드할 수 있는 수준의 세계 최고 수준의 데이터 전송속도를 갖췄다.

이 제품은 대기 전력 소모를 단축하면서도 빠른 속도를 갖춰 UMPC, PMP, 휴대전화 등 모바일 인터넷 디바이스와 넷북, 고성능 스마트폰 등에 적합하며, 탑재되는 기기의 사양에 적합하게 변경해 사용할 수 있는 '원 칩 솔루션' 기능도 제공된다.

하이닉스는 올 3분기부터 새 제품을 양산할 예정이며, 내년 초에는 40나노급 LPDDR2 제품을 개발해 내년 모바일 LPDDR2 시장 점유율을 30% 이상 확대할 계획이다.

/연합