삼성전자가 인공지능(AI) 시대를 주도하기 위한 전략을 공개했다고 블룸버그통신이 12일(현지시간) 보도했다.
삼성전자는 이날 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2024'를 개최하고, AI 시대에 발맞춘 반도체 제조 로드맵을 발표했다.
우선 삼성은 올해 하반기에 2세대 3나노(㎚·1㎚는 10억분의1m) 공정 양산을 시작할 계획이다. AI 제품의 핵심인 GAA(Gate-All-Around) 기술은 차기 2나노 공정에 적용할 예정이다. 1.4나노에 대한 준비가 순조롭게 진행되고 있으며, 2027년 대량 생산을 목표로 하고 있다고도 확인했다.
아울러 2027년까지 2나노 공정에 '후면전력공급(BSPDN)' 기술을 도입(SF2Z)하기로 했다. '후면전력공급'은 전력선을 웨이퍼 후면에 배치해 전력과 신호 라인의 병목 현상을 개선하는 고난도 기술이다. 이를 통해 소비전력, 성능, 면적의 개선 효과와 함께 전압 강하 현상을 대폭 줄일 수 있다.
삼성전자는 또 2027년에는 AI 설루션에 적은 전력 소비로도 고속 데이터 처리가 가능한 빛을 이용한 광학 소자 기술까지 통합할 계획이다. 2025년에는 기존 4나노 공정에 칩을 더 작게 만들면서 성능을 높이는 '광학적 축소' 기술을 도입(SF4U)해 양산할 예정이다.
이날 삼성전자 경영진은 고대역폭 메모리(HBM)와 관련, 엔비디아의 인증 테스트를 통과하지 못했다는 보도와 관련해서는 언급하지 않았다.
삼성전자는 이번 로드맵을 통해 AI 관련 고객이 2028년까지 현재 수준보다 5배 증가하고 매출은 9배 증가할 것으로 예측했다.
블룸버그통신은 “삼성은 엔비디아 등 까다로운 고객들을 위해 생산 기술이 얼마나 진보적이고 신뢰할 수 있는지를 입증해야 한다”며 “또한 인텔 등 과거 라이벌들의 도전에 직면해 있다”고 짚었다.
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