하이닉스, 세계 최초로 2Gb 모바일 D램 개발

하이닉스반도체가 54나노 기술을 적용한 2기가비트(Gb) 모바일 D램 제품을 세계 최초로 개발, 내년 상반기부터 양산에 들어갈 계획이다. 

3일 하이닉스반도체에 따르면 이번에 개발된 제품은 멀티 칩 패키지(MCP)와 패키지 온 패키지(PoP) 제품에 들어가는 모바일 D램 중 현재 시중의 최대 용량인 1기가비트 제품보다 2배의 용량을 구현할 수 있다.

전력 소비도 기존의 메모리 제품 대비 1/8에 불과해 장시간 사용하는 휴대전화, 디지털 카메라, MP3 플레이어, 네비게이션 등의 제품에 적합하다.

또한 1.2V 초저전력으로 동작이 가능하며, 최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 1.6기가바이트(GB) 가량의 데이터를 처리할 수 있다.

이 제품은 SDR/DDR, x16/x32와 같은 다양한 방식의 지원도 가능하기 때문에 탑재되는 기기 사양에 맞춰 사용할 수 있는 '원 칩 솔루션' 기능도 갖추고 있다.

이와 관련 하이닉스반도체 관계자는 “다양한 성능을 갖춘 이 제품은 모바일 인터넷 디바이스를 비롯 울트라 모바일 PC 등의 차세대 애플리케이션의 지원도 가능해 고용량화∙저전력화∙고속화∙소형화로 급변하고 있는 모바일 시장을 선도할 것”이라고 말했다.

한편, 하이닉스는 지난 2006년12월 512메가비트 모바일 D램 개발을 시작으로 올 상반기에는 66나노 최소형 1기가비트 모바일 D램과 1기가비트 LP DDR2 등 고부가가치 모바일 D램 생산의 비중을 늘려왔다.

박재붕 기자 pjb@