삼성 'D램-낸드-비메모리' 3각편대, 종합반도체 글로벌 톱 노린다

삼성전자가 세계 최초로 양산에 성공한 32Gb DDR 고속 낸드플래시 반도체.

삼성전자가 D램 반도체에 이어 낸드플래시 부분에서도 앞선 기술을 과시하며 메모리 부분 1위 자리를 더욱 단단히 하고 있다. 여기에 최근 비메모리 반도체(시스템LSI) 역시 가시적인 성과를 거두고 있는 삼성전자는 메모리와 비메모리를 아우르는 종합 반도체 산업 정상의 자리를 노린다.

지난 3월 예정보다 6개월 앞서 32나노 낸드 플래시 양산을 시작한 삼성전자는 여세를 모아 용량과 속도를 3배 가량 향상시킨 32나노 제품을 앞세워 시장 우위를 강화하고 있다.

1일 삼성전자는 속도를 3배 이상 향상시킨 32나노 32Gb(기가비트) 고속 낸드플래시와 저장용량을 3배 늘린 32나노 32Gb 3비트(bit) 낸드플래시를 지난달 말 양산에 들어갔다고 밝혔다.

30나노급 낸드플래시 기술 개발은 경쟁사에 한발 늦었지만, 상용화와 업그레이드에서 이를 역전한 것이다. 이번 개발로 삼성전자는 차별화된 낸드플래시 풀라인업(SLC·MLC·DDR MLC·3bit MLC)을 구축, 시장 주도권을 더욱 강화할 것으로 기대하고 있다.

앞선 기술을 바탕으로 삼성전자는 지난 3분기 기준 D램과 낸드 시장에서 각각 35.5%, 39.3%의 점유율을 기록하며 메모리 시장 장기 독주 체제를 마쳤다.

시스템LSI 사업 역시 탄탄한 성장을 지속하고 있다. 이미 삼성전자는 시스템 LSI 반도체 4개 부문에서 1위에 올랐다. 여기에 빠르게 팽창하는 CIS 시장에서도 200% 이상의 고속성장을 구가해 올해 안에 1위 등극을 목표로 하고 있다.

또한 지난 9월에는 세계 최초로 '45나노 저전력 1GHz AP'와 '60나노급 512메가비트(Mb) P램'을 개발하는 등 모바일 트렌드에 부합하는 다양한 시스템LSI 제품을 선보이고 있다.

업계 관계자는 "메모리와 비메모리를 아우르는 반도체 기업은 삼성전자 뿐"이라며 "아직 1위인 인텔과의 격차가 크지만 무에서 유를 창조한 메모리 사업처럼 비메모리 사업 역시 빠르게 성장하면 인텔과 대응한 경쟁을 할 수 있는 날이 올 것"이라고 기대했다.

아주경제= 이하늘 기자 [e-mail]
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