인텔 “3D 크로스포인트 기술, 메모리 분야 판도 뒤흔들 것”

기존 낸드플래시 메모리보다 1000배 이상 빠른 신기술 공개

인텔 메모리 솔루션 그룹의 찰스 브라운 박사가 29일 서울 코엑스인터컨티넨탈 호텔에서 열린 인텔 메모리 기술 업데이트 기자간담회에서 3D 크로스 포인트 기술을 설명하고 있다.[사진=인텔코리아 제공]

아주경제 한아람 기자 = “낸드(NAND)플래시 메모리 이후 25년만에 메모리계의 위계질서를 완벽히 뒤집을 신기술이 나왔다. 이 새로운 비휘발성(Non-volatile) 메모리 기술은 메모리 및 스토리지 솔루션 분야에 혁명을 가져올 것이다.”

인텔과 마이크론은 29일 서울 코엑스 인터콘티넨탈호텔에서 메모리 기술 업데이트 기자간담회를 열고 지난 10년간 공동 개발을 진행해온 ‘3D 크로스 포인트(XPoint)’ 기술에 대해 이같이 소개했다.

3D 크로스 포인트 기술은 전원이 차단돼도 메모리가 유지되는 비휘발성 메모리 기술로, 기존 낸드플래쉬 메모리보다 1000배 이상 빠른 속도와 긴 수명을 특징으로 한다.

인텔 메모리 솔루션 그룹의 찰스 브라운 박사는 이날 직접 간담회 에 참석, 해당 신기술에 대해 “전통적인 D램 메모리 성능을 갖고 있으면서도 기존의 낸드플래시와 같은 면적으로 10배 더 많은 용량을 수용할 수 있다”고 설명했다.

브라운 박사는 이어 내구성에 대해서도 “전례 없는 성과”라며 “기존 낸드플래시는 1000번정도의 사이클로만 사용가능 했지만, 3D크로스포인트는 100만번의 사이클까지도 견뎌낼 수 있는 내구성을 구현했다”고 전했다.

신기술이 적용된 메모리칩 가격을 묻는 질문에는 “이 기술이 어떤 제품으로 구현되느냐에 따라 달라질 수 있기 때문에 아직 정확히 말할 수 있는 단계가 아니다”라면서도 “분명히 말할 수 있는 것은 충분히 경쟁력 있는 가격이 책정될 것”이라고 귀띔했다.

인텔에 따르면 전세계에서 매년 생성되는 데이터 양은 지난 2013년 4.4제타바이트(ZB)에서 2020년 44ZB로 증가할 전망이다.

인텔은 이같은 흐름 속에서 3D 크로스 포인트 기술이 대규모 데이터에서 패턴을 찾아내야 하는 음성인식과 금융사기 탐지, 유전자 연구, 질병 추적 등에 유용하게 쓰일 것이라고 전망했다. 또 일반 PC를 사용하는 소비자들도 보다 빠르게 소셜미디어와 게임을 즐기는 것이 가능해질 것이라고 관측했다. 

한편 인텔과 마이크론은 해당 신기술을 이용한 신형 메모리 칩의 시제품을 올해 안에 미국 유타의 양사 합작 공장에서 생산하기 시작해 일부 고객사에 공급할 계획이다.