DB하이텍, 5G향 무선주파수 사업 확대…"130·110nm 공정 개발 완료"

DB하이텍이 5G(5세대 이동통신기술) 기반 스마트폰·사물인터넷(IoT)  구축에 필수적인 무선주파수 사업 확대에 나선다.

DB하이텍은 130㎚(나노미터·1나노=10억분의 1m)·110㎚ 기술을 기반으로 5G향 무선주파수(RF)프론트엔드 사업을 본격적으로 확대한다고 12일 밝혔다.

RF프론트엔드는 무선 통신에 필수적인 제품으로 정보기술(IT) 기기간 송신·수신을 담당한다. 스마트폰, IoT 등 통신이 필요한 분야에서 다양하게 활용된다. 보통 안테나 튜너, 스위치, 저잡음증폭기(LNA), 전력증폭기(PA) 등 각각의 부품이 한데 모인 모듈 형태로 구성돼 있다.

DB하이텍에 따르면 무선통신 기술이 5G로 발전하면서 고주파·고감도의 특성을 가진 고성능 통신에 대한 수요가 지속적으로 확대되는 가운데 RF 프론트엔드의 중요성도 점점 더 커지고 있다. RF프론트엔드 시장은 2019년 124억달러(약 14조7500억원) 수준에서 2025년 217억달러(약 25조8000억원) 규모로 가파른 성장세가 예상된다.

DB하이텍이 RF프론트엔드 내 여러 부품 중 특히 주목하고 있는 제품은 스위치와 LNA이다. 스위치는 주파수를 송수신할 때 켜거나 끄는(On·Off) 하는 역할을 하고 LNA는 주파수를 증폭시켜 보다 정확한 신호를 전달하는 것으로 5G 등 고속통신에 가장 핵심적인 제품이다.

DB하이텍은 기존 RF 공정에 누설전류를 차단하거나 최소화하는 SOI(실리콘-온-인슐레이터)와 HRS(High Resistivity Substrate) 웨이퍼를 더해 성능을 대폭 개선했다. 

특히 130nm(나노미터) 기술을 기반으로 한 RF SOI 공정의 경우, 스위치의 성능지수(FOM)가 84fs, 항복전압(BV)이 4.4V로 세계 최고 수준의 성능이다. LNA는 올해 상반기 내 150GHz(기가헤르츠) 이상의 LNA 제품을 지원할 수 있도록 준비 중이다.

110nm(나노미터) 기술을 기반으로 한 RF HRS 등 공정은 우수한 가격 경쟁력을 확보하고 있다. 스위치의 FOM은 164fs이고 BV는 4.6V이며 100GHz(기가헤르츠) 차단주파수(Cut-off frequency) 성능을 가진 LNA 소자를 보유하고 있다. 22년 상반기 내 150GHz(기가헤르츠) 이상의 LNA 제품을 지원할 수 있도록 개발 중이다.

DB하이텍은 "팹리스(반도체 설계) 고객사들이 RF프론트엔드 시장에 적기에 진입할 수 있도록 고객 지원에 적극적으로 나서고 있다"며 "특히 고객사의 개발비 절감을 위해 분기별로 MPW(웨이퍼 한 장에 다양한 반도체 시제품을 생산하는 서비스)를 운영하고 있다"고 설명했다.
 

DB하이텍 부천공장 전경 [사진=DB하이텍]