절치부심 삼성전자, HBM4로 반전 노린다…전사적 역량 집중

평택이어 화성서 대량 양산 준비…수율 향상 자신감

전담 개발팀 및 세분화해 집중력·조직 효율성↑

[사진=게티이미지뱅크]

초기 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 고배를 마신 삼성전자가 내년 이후 본격 개화할 것으로 전망되는 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 개발·양산에 사활을 걸고 있다. 전용 설비 구축과 조직 개편 등을 병행하며 시장 주도권 탈환 의지를 적극적으로 피력 중이다. 

26일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 연말이나 내년 초 HBM4 양산에 들어가기 위해 전방위적 투자를 진행하고 있다.

삼성전자는 HBM4를 10나노미터급 6세대(1c) D램 공정을 기반으로 제작 중이다. 이를 위해 올 하반기 화성·평택 지역에서 1c D램 생산능력을 추가하는 투자에 나설 것으로 알려졌다.

우선 올해 초부터 평택 제4캠퍼스(P4)에 구축하기 시작한 1c D램 양산라인을 화성 팹에도 구축한다는 방침이다. 당초 P4에서 월 3만장 규모의 1c D램을 초도 양산하기로 한 계획을 확장해 추가 투자에 나선 것이다. 수율 개선에 대한 자신감이 반영된 것으로 파악된다.

송명섭 iM증권 연구원은 "삼성전자의 1c 나노 공정은 6월까지 40% 수율(완성품 비율)을 달성하고 양산 준비를 마치는 것을 목표로 하고 있다"며 "현재까지 큰 문제 없이 진행 중"이라고 말했다.

조직 정비에도 한창이다. HBM 개발팀을 신설하고 이를 △표준 HBM △커스텀 HBM △HBM 프로덕트 엔지니어링(PE) △HBM 패키징 등으로 세분화했다.

지난해 5월 구원투수로 온 전영현 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문장(부회장)이 주도한 것으로, 각 분야와 개발 단계를 세분화해 기술 경쟁력을 끌어올리려는 의도가 반영됐다.

삼성전자가 HBM4 개발에 전사적으로 집중하는 이유는 반도체 기술의 정점인 메모리 반도체 선도 지위를 회복해야만 글로벌 경쟁력을 유지할 수 있다는 판단에 따른 것이다. 비대해진 반도체 조직에서 발생하는 소통의 어려움이 업무 비효율로 이어진다는 지적도 의식했다. 

삼성전자는 지난해 하반기 1c D램 첫 양품(Good Die)을 확보했다. 첨단 D램 시장에서 메모리 반도체 6세대인 1c 공정을 어느 업체도 개발하지 못한 상황이라 의미가 크다.

업계에서는 전 부회장이 주도한 반도체 사업 개선 노력이 올 하반기부터 서서히 드러날 것으로 전망한다.

한 반도체 업계 관계자는 "30년 이상 삼성전자 DS부문을 이끌어온 메모리사업부가 제 자리를 찾아야 다른 사업도 순항할 수 있을 것"이라며 "설비 투자와 더불어 조직에 새 바람을 불어넣는 변화의 움직임이 반등의 기폭제로 작용할 것으로 본다"고 말했다.