동부하이텍, 아날로그반도체용 내장형 메모리 설계자산 개발

美킬로패스와 공동개발, 이달부터 제공…0.18미크론급 공정기반<br/>팹리스, 수 개월의 개발기간 단축, 개발비용 절감

아주경제 이혜림 기자= 동부하이텍은 6일 세계적인 반도체 설계자산(IP:Intellectual Property) 회사인 미국 킬로패스(Kilopass)사와 아날로그반도체용 메모리 설계자산을 개발했다고 밝혔다.

반도체 설계자산(IP)은 반도체를 설계할 때 사용하는 기본적인 데이터베이스다. 이번에 개발한 IP는 전력관리 칩·LCD 구동 칩·이미지 센서 등 아날로그반도체에 내장되어 이 칩의 데이터를 저장하는 메모리를 설계할 때 사용된다.

이번 IP는 전원이 차단되어도 정보가 지워지지 않는 비휘발성 특징과 함께 원타임 프로그래머블(OTP: One-Time Programmable) 기능도 갖추고 있다. 정보를 한번 기록하면 추가적인 기록과 수정이 불가능해 칩의 데이터가 경쟁사에 의해 위변조되는 것을 막을 수 있다.

반도체 설계회사(팹리스)들이 아날로그반도체를 설계할 때 이 IP를 사용하면 별도의 메모리 IP를 개발하는 데 소요되는 수 개월의 기간을 단축하고 개발 비용도 절감할 수 있다는 게 회사 측의 설명이다.

특히 이번 IP는 1비트(메모리의 최소단위로 2진수(0,1)의 값 한 개를 저장할 수 있는 크기) 메모리를 위해 2개의 트랜지스터를 사용하는 기존 제품들과는 달리, 1비트에 1.5개의 트랜지스터를 사용해 메모리의 크기를 약 30% 이상 줄임으로써, 여러 개의 칩을 하나의 칩으로 구성하는 SoC(시스템 온 칩)형태의 고집적 아날로그반도체를 설계하는데 적합하다.

또한 이번에 개발한 IP에서는 메모리의 데이터 저장과 삭제를 위해 사용되는 부동 게이트(Floating Gate)를 사용하지 않았으며, 이로 인해 제조 시간을 단축함은 물론 비용도 절감할 수 있게 된다.

부동 게이트는 전하(전기성질을 갖는 작은 입자)를 담는 그릇 역할을 하는 전기회로로, 전하를 축적하고(신호 1) 빼며(신호 0) 반복적인 디지털 신호를 만드는 역할을 한다.

이번 IP에는 정보를 한번만 기록하도록 하는 원타임 프로그래머블 기능이 있어 부동 게이트가 필요 없다.

이번 IP는 주로 0.18미크론급 복합전압소자(BCDMOS: Bipolar CMOS DMOS) 공정과 0.18미크론급 아날로그 CMOS 공정으로 생산되는 고집적 전력관리 칩에 내장되는 메모리 설계에 사용될 예정이다.

동부하이텍 관계자는 “이번에 개발한 IP는 이 달부터 고객들에게 제공될 계획이며, 향후에도 킬로패스와 함께 다양한 0.18미크론급 공정에 맞는 IP를 추가로 개발해 고집적 아날로그반도체 시장에서도 경쟁력을 갖춰갈 계획”이라고 밝혔다.