국내 연구팀, 세계 최초 '3진법 반도체' 대면적 구현…삼성 파운드리서 테스트

UNIST 김경록 연구팀, 英 '네이처 일렉트로닉스'에 발표

2진법 기반 대비 계산 속도 향상 및 소비 전력 감소 기대

김경록 울산과학기술원(UNIST) 전기전자컴퓨터공학부 교수[사진=울산과학기술원(UNIST) 제공]

국내 연구팀이 세계 최초로 초절전 '3진법 금속 산화막(Ternary Metal Oxide) 반도체'를 대면적 실리콘 웨이퍼에서 구현하는 데 성공했다. 삼성전자는 미세공정으로 구현을 검증하는 등 연구를 지원하고 있다.

17일 울산과학기술원(UNIST)에 따르면 전기전자컴퓨터공학부 김경록 교수 연구팀은 세계적인 학술지 '네이처 일렉트로닉스'에 15일(현지시간) 해당 연구 결과를 발표했다.

연구팀이 개발한 3진법 반도체는 0, 1, 2 값으로 정보를 처리함으로써 2진법 기반 대비 계산 속도가 빠르다는 게 강점이다. 10진수 128을 2진수로 변환할 경우 10000000으로 8개의 비트가 필요하지만, 3진수로 변환할 경우 11202로 5개의 트리트만 있으면 저장할 수 있다. 소비 전력이 줄어들 뿐만 아니라 반도체 칩 소형화에도 강점이 있다는 게 연구팀의 설명이다.

김 교수는 "3진법 반도체는 향후 4차 산업혁명의 핵심인 인공지능(AI), 자율주행, 사물인터넷(IoT), 바이오칩, 로봇 등의 기술발전에 있어 큰 파급 효과가 있을 것으로 기대된다"고 덧붙였다.

삼성전자는 연구 지원을 위해 파운드리 사업부 팹(FAB)에서 미세공정으로 3진법 반도체 구현을 검증하고 있다. 앞서 2017년 9월에는 이번 연구를 삼성미래기술육성사업 지정테마로 선정해 지원해 왔다.