삼성전자 “200단 이상급 8세대 V낸드 동작 칩 확보”

송재혁 삼성전자 메모리사업부 부사장 “향후 1000단 이상도 가능할 것”

삼성전자가 200단이 넘는 8세대 V낸드 동작 칩을 확보한 것으로 확인됐다.

송재혁 삼성전자 메모리사업부 부사장은 8일 삼성전자 뉴스룸을 통해 공개한 기고문에서 이와 같은 사실을 밝히며 “시장 상황과 고객 요구에 따라 적기에 제품을 선보일 수 있도록 만반의 준비를 하고 있다”고 설명했다.

삼성전자는 올해 하반기 업계 최초 셀 사이즈 7세대 V낸드가 적용된 소비자용 SSD(Solid State Drive) 출시를 계획하고 있다.

이 제품은 6세대보다 강화된 성능으로 3D 모델링, 영상편집 등 대용량 작업을 동시에 처리하는 환경에 적합한 솔루션을 제공할 것으로 알려졌다.

삼성전자가 8세대 V낸드 동작 칩을 확보했다는 사실을 공개한 것은 하반기 출시를 앞둔 제품보다 진일보한 기술 통한 ‘초격차’를 세상에 드러낸 것으로 풀이된다.

송 부사장은 “고집적·고용량에 대한 요구로 3차원으로 셀의 단수가 높아지면서 제약이 없을 것 같았던 높이도 물리적 한계를 고려해야 하는 상황이 도래했다”며 “삼성전자는 한발 앞서 이런 고민을 시작하고 해결책을 모색해 왔다”고 설명했다.

이어 “삼성전자의 7세대 176단 V낸드는 업계의 100단 초반대 6세대급과 높이가 비슷하다”며 “이것이 가능한 이유는 삼성전자가 업계 최소의 셀 크기를 구현했기 때문”이라고 강조했다.

삼성전자가 셀 크기를 최소화할 수 있었던 이유는 ‘3차원 스케일링’ 기술을 통해 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시켜 체적을 최대 35%까지 줄이고, 한 번에 100단 이상을 쌓고 10억개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 ‘싱글스택 에칭’ 기술력을 갖췄기 때문이다.

이를 기반으로 앞으로 수백단 이상의 초고단 V낸드를 한발 앞서 구현할 수 있는 기술력을 확보하고 있다는 게 송 부사장의 설명이다.

송 부사장은 앞으로 1000단 이상의 V낸드 출시도 가능할 것으로 내다봤다.

그는 “평면의 한계를 극복하기 위해 10년 이상의 오랜 연구 끝에 2013년 첫 V낸드를 선보였듯이 삼성전자는 3차원 스케일링 기술을 통해 언젠가 마주하게 될 높이의 한계를 가장 먼저 극복할 것”이라며 “미래 1000단 V낸드 시대에도 삼성전자는 혁신적인 기술력을 기반으로 업계 최고의 신뢰성을 갖는 제품으로 계속 진화해 나갈 것”이라고 자신했다.

 

삼성전자 V7 SSD. [사진=삼성전자 제공]