삼성전자, ‘8나노 RF 공정 기술’ 개발…5G 통신용 파운드리 강화

삼성전자가 전력 효율을 높인 차세대 8나노 무선주파수(RF) 공정 기술을 개발했다. 이를 통해 5세대 통신(5G) 이동통신용 반도체 위탁생산(파운드리) 서비스를 강화한다.

9일 삼성전자에 따르면 8나노 RF 공정은 이전 14나노 공정 대비 RF 칩 면적을 약 35% 줄일 수 있으며 전력 효율도 약 35% 향상된다.

RF 칩은 모뎀칩에서 나오는 디지털 신호를 아날로그로 변환해 우리가 사용할 수 있는 무선 주파수로 바꿔주고, 반대로 모뎀칩으로 전송하기도 하는 무선 주파수 송수신 반도체다.

삼성전자는 적은 전력을 사용하면서도 신호를 크게 증폭할 수 있는 RF 전용 반도체 소자를 개발해 8나노 RF 공정에 적용했다.

[자료=삼성전자 제공]

앞서 삼성전자는 2015년 28나노 12인치 RF 공정 파운드리 서비스를 시작한 후 2017년 업계 최초 본격 양산을 시작한 14나노를 포함해 8나노까지 RF 파운드리 솔루션을 확대하고 있다.

2017년부터 지금까지 프리미엄 스마트폰을 중심으로 5억 개 이상의 모바일 RF 칩을 출하하며 시장 리더십을 유지하고 있다.

삼성전자는 8나노 RF 파운드리로 멀티채널, 멀티 안테나를 지원하는 5G 통신용 RF 칩을 원칩 솔루션으로 제공해 서브 6기가 헤르츠(GHz)부터 밀리미터파(mmWave)까지 5G 통신 반도체 시장을 적극 공략할 계획이다.

이형진 파운드리 사업부 기술개발실 마스터는 “공정 미세화와 RF 성능 향상을 동시에 구현한 삼성전자 8나노 기반 RF 파운드리는 소형·저전력·고품질 통신의 장점을 갖춰 고객들에게 최적의 솔루션을 제공할 것"이라며 "삼성전자는 최첨단 RF 파운드리 경쟁력을 바탕으로 5G를 비롯한 차세대 무선통신 시장을 적극 대응해 나갈 것"이라고 말했다.
 

삼성전자 화성캠퍼스. [사진=삼성전자 제공]