"최대 15조 실탄 장전"…中 CXMT, '글로벌 메모리 빅3' 정조준

지난 16일 상하이 커촹반 상장 공모주 청약 시작

확보한 자금으로 차세대 G5 공정·HBM3 투자 확대

"2035년 생산능력 3배 확대로 선두권과 격차 좁혀"

글로벌 D램 공급업체별 비트 출하량 점유율 전망 [사진=카운터포인트리서치]

중국 최대 D램 업체인 CXMT(창신메모리)가 최대 666억위안(한화 약14조6000억원) 규모의 기업공개(IPO)를 통해 확보한 자금을 바탕으로 글로벌 '메모리 빅3' 진입에 속도를 낸다. 차세대 공정과 고대역폭메모리(HBM) 개발, 생산능력 확대에 공격적으로 투자해 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 장악한 메모리 시장에 본격적으로 도전장을 내민다. 

18일 업계에 따르면 CXMT가 지난 16일 상하이증권거래소 커촹반 상장으로 확보한 자금을 통해 2030년까지 생산능력을 2배, 2035년까지 3배로 확대하는 것을 목표로 정했다. 

CXMT는 커촹반 상장을 위해 주당 8.66위안에 67억 주를 공모한다. 초과배정옵션 행사 전 공모액은 579억위안(약 12조7000억 원)이며, 옵션이 전량 행사되면 최대 666억 위안(약 14조7000억 원)까지 늘어난다. 공모주 청약은 16일부터 시작했고, 실제 상장은 오는 27일 이뤄질 것이란 관측이 나온다. 

이번 IPO 자금은 차세대 G5 공정과 HBM3 개발, 생산시설 증설 등에 투입된다. 단기적으로는 상하이와 베이징 신규 팹, 허페이 생산 클러스터를 중심으로 월 웨이퍼 생산능력을 현재 32만장에서 2027년 42만장까지 확대할 계획이다. 장기적으로는 2030년 생산능력을 현재의 두 배, 2035년에는 세 배까지 늘린다는 목표다.

시장 점유율 확대도 속도를 낸다. 글로벌 시장조사기관 카운터포인트리서치에 따르면 CXMT의 글로벌 D램 비트 기준 시장점유율은 현재 9% 수준이다. 오는 2028년에는 11%까지 확대될 것으로 예상되지만, 글로벌 메모리 시장에서 안정적인 경쟁력을 확보하기 위해서는 최소 15% 이상의 점유율이 필요하다는 분석이 나온다.

황민성 카운터포인트리서치 리서치 디렉터는 "15%는 차세대 팹 투자와 기술 개발을 지속할 수 있는 최소 기준선"이라며 "과거 대만 D램 업체들도 점유율이 15% 아래로 떨어지면서 투자 여력을 잃고 결국 틈새 업체로 전락했다"고 설명했다.

CXMT는 단순 생산량 확대를 넘어 제품 경쟁력 강화에도 집중하고 있다. LPDDR5와 DDR5 비중을 전체 생산량의 75% 수준까지 끌어올리고, PC·서버용 D램 공급도 확대하고 있다. 여기에 HBM3 양산과 중국 AI 반도체 업체 공급을 통해 고부가 메모리 시장 진입도 노리고 있다.

다만 미국의 대중 반도체 규제가 강화될 경우 첨단 장비 확보와 글로벌 고객사 확대가 쉽지 않을 수 있다. 하지만 이 같은 규제가 오히려 새로운 메모리 아키텍처 개발을 촉진하는 계기가 될 수 있다는 분석도 나온다.

닐 샤 카운터포인트리서치 부사장은 "CXMT는 수직 채널 트랜지스터(VCT)와 웨이퍼온웨이퍼(Wafer-on-Wafer) 본딩 등 새로운 기술 개발을 추진하고 있다"며 "기존 선두 업체들이 기존 설비 투자 회수를 고려해 혁신 도입을 늦추는 사이 CXMT가 차세대 메모리 기술에서 의외의 경쟁력을 확보할 가능성도 있다"고 말했다.

카운터포인트리서치는 향후 CXMT의 기업가치를 결정할 핵심 변수로 △HBM3 양산 및 수율 확보 △중국 외 글로벌 고객 확보 △미·중 규제 리스크 △시장점유율 확대 등 네 가지를 제시했다.