반도체 나노결정 도핑 기술이 국내 연구진에 의해 처음 개발됐다.
현택환 서울대 화학생물공학부 교수팀은 반도체 나노결정을 핵형성 과정에서부터 효율적으로 도핑할 수 있는 기술 개발에 성공했다고 15일 밝혔다.
현 교수팀은 '카드뮴 셀레나이드(CdSe) 반도체' 나노결정 성장 과정에서 핵형성과정을 화학적으로 제어하면 불순물(망간) 이온으로 반도체 나노결정을 10% 이상 효율적으로 도핑할 수 있다는 사실을 발견했다.
그동안 반도체 나노결정의 도핑 기술은 망간이온이 결정 안쪽보다는 바깥쪽에 많이 분포하게 되는 단점이 있었다.
도핑된 핵입자들은 자기조립과정을 통해 나노리본을 만들게 된다. 이 나노리본은 차세대 나노소자에 이용될 수 있을 것으로 기대된다.
현택환 교수는 "이번 연구결과는 반도체 나노결정의 도핑 과정을 근원에서부터 제어할 수 있는 신기술을 개발한 것"이라며 "나노반도체 산업의 발전 가능성과 함께 자성반도체에 응용될 가능성을 높였다는 데 의미가 있다"고 말했다.
이번 연구결과는 나노 분야에서 세계적 권위를 자랑하는 '네이처 머티리얼스(Nature Materials)'지 인터넷판에 게재된다.
한편 나노기술 개발 연구는 지난 10년간 전 세계적으로 진행돼 왔으나 도핑 효율이 1%에 지나지 않았다.
아주경제= 김은진 기자 happyny777@ajnews.co.kr
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