김춘환 SK하이닉스 부사장 "TSV가 HBM 핵심 경쟁력"

산업기술 R&D 종합대전 은탑산업훈장

김춘환 SK하이닉스 부사장 [사진=SK하이닉스]

김춘환 SK하이닉스 부사장(R&D공정 담당)이 "실리콘관통전극(TSV)은 현재 MR-MUF와 함께 고대역폭메모리(HBM)의 핵심 경쟁력이 됐다"고 강조했다.

김 부사장은 2일 자사 뉴스룸 인터뷰를 통해 "TSV 공정 기술 안정화와 인프라 구축에 중점을 두고 연구개발(R&D)에 더욱 매진했고, 양산 품질 개선 활동도 진행해 마침내 HBM 양산에 성공하게 됐다"며 이같이 밝혔다.

앞서 SK하이닉스는 지난 2009년 고성능 메모리 수요가 증가할 것으로 보고 TSV 기술에 주목, HBM 개발에 약 4년을 공들인 결과 2013년 12월 첫 HBM을 세상에 내놓았다.

TSV는 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상·하단 칩을 전극으로 연결하고 적층해 고용량, 고대역폭을 구현하는 기술이다. 1992년 SK하이닉스에 입사한 김 부사장은 HBM의 핵심인 TSV 요소기술을 개발하는 데 크게 기여해 HBM 공정의 기틀을 마련한 것으로 평가받는다.

또 10나노급 5세대(1b) D램 미세 공정에 극자외선(EUV) 장비를 도입해 업계 최고 수준의 생산성과 원가 경쟁력을 확보했고 이를 6세대(1c) D램에도 확대 적용했다. 아울러 HKMG 기술을 D램에 적용해 메모리 성능·효율을 높이는 등 선단기술에서 눈에 띄는 성과를 냈다. 김 부사장은 "1b D램 기반의 HBM3E(5세대)는 선단기술과 TSV 노하우를 집대성한 결과물"이라고 말했다.

김 부사장은 이같은 공로를 인정받아 지난달 27일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 '2024 산업기술 R&D 종합대전'에서 산업기술진흥(기술개발 부문) 유공자로 선정돼 은탑산업훈장을 받았다.