21일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 엔비디아 관계자로부터 HBM4 SiP(System in Package) 테스트에서 자사 메모리가 구동 속도와 전력 효율 측면에서 메모리 업체 가운데 가장 우수한 결과를 냈다는 설명을 전달받은 것으로 알려졌다.
삼성전자의 HBM4는 핀당 전송속도 11Gbps(초당 기가비트)를 달성하며 업계 최고 수준의 성능을 입증했다. 특히 외부 파운드리에 공정을 위탁하거나 구형 공정을 활용하는 경쟁사들과 달리, 삼성은 최신 1b(5세대) D램 공정과 자사 파운드리를 결합한 '턴키(Turn-key)' 생산 방식을 택했다. 이를 통해 데이터 처리 효율은 극대화하면서도 발열과 전력 소모를 획기적으로 줄이는 데 성공했다는 분석이다.
엔비디아가 제시한 내년 삼성전자 HBM4 요구 물량도 내부 예상치를 웃돈 것으로 전해진다. 이에 따라 HBM4 공급 확대가 삼성전자 실적에 일정 부분 기여할 수 있다는 관측이 나온다.
©'5개국어 글로벌 경제신문' 아주경제. 무단전재·재배포 금지



![[르포] 중력 6배에 짓눌려 기절 직전…전투기 조종사 비행환경 적응훈련(영상)](https://image.ajunews.com/content/image/2024/02/29/20240229181518601151_258_161.jpg)



