삼성전자 512기가 DDR5 메모리 개발…차세대 D램 기술경쟁 더 뜨거워진다

업계 최초로 '하이케이 메탈 게이트(HKMG)' 공정 적용

삼성전자가 업계 최초로 '하이케이 메탈 게이트(HKMG)' 공정을 적용, 512기가바이트(GB) 용량의 DDR5 메모리 모듈을 개발했다. HKMG 공정으로 만들어진 DDR5 메모리 모듈은 기존과 대비해 전력을 약 13% 줄이는 한편 성능은 더욱 늘어난 것이 특징이다. 

25일 삼성전자에 따르면 이번에 개발한 고용량 DDR5 모듈은 업계 최고 수준의 고용량‧고성능‧저전력을 구현해 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능 등 첨단산업 발전의 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대된다.

이 제품은 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 적용하는 HKMG 공정을 도입했다. 

HKMG가 적용된 삼성전자 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정 대비 전력 소모가 약 13% 감소해, 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에서 최적의 솔루션이 될 것으로 보인다.

또 이 제품에는 범용 D램 제품 처음으로 8단 TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술이 적용됐다. TSV 기술은 메모리 칩을 적층해 대용량을 구현하는 기술로, 기존 금선(와이어)을 이용해 칩을 연결하는 와이어 본딩(Wire Bonding) 기술보다 속도와 소비전력을 크게 개선할 수 있다. 

삼성전자는 고용량 메모리 시장의 확대와 데이터 기반 응용처의 확산에 따라 16Gb(기가비트) 기반으로 8단 TSV 기술을 적용해 DDR5 512GB 모듈을 개발했다.

손영수 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 “DDR5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화시킬 것으로 기대된다”고 말했다.

삼성전자는 HKMG 공정과 8단 TSV 기술이 적용된 고용량 DDR5 메모리를 차세대 컴퓨팅 시장의 고객 수요에 따라 적기에 상용화할 계획이다.
 

삼성전자 512GB DDR5. [사진=삼성전자 제공]