하이닉스, 세계 최초 2Gb 고용량 모바일 D램 개발

하이닉스반도체는 54나노 기술을 적용한 2기가비트(Gb) 모바일 D램 제품<사진>을 세계 최초로 개발해 내년 상반기부터 양산할 예정이라고 3일 밝혔다.

이 제품은 세계 최초로 54나노 초미세 공정이 적용된 2기가비트 고용량 D램으로 현재 시중 최고 용량인 1기가비트 제품에 비해 2배의 용량을 구현했다.

전력 소비도 기존 메모리 제품 대비 1/8에 불과해 휴대전화, 디지털 카메라,  MP3플레이어, 내비게이션 등의 장시간 사용하는 포터블 제품에 적합하다.

또 1.2V의 초저전력으로 동작이 가능하며, 최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현하고, 탑재되는 기기의 사양에 맞춰 변경해 사용하는 '원 칩 솔루션' 기능도 갖췄다.

시장 조사기관 아이서플라이는 보고서를 통해 모바일 D램 시장이 2007년부터 2012년까지 연평균 14.4%씩 성장할 것으로 전망하고 있다. 특히 휴대전화의 모바일 D램 채용률은 현재 30% 수준에서 2012년에는 83%까지 성장할 것으로 보고 있다.

이 추세에 발맞춰 하이닉스는 2006년 12월 세계 최고속 512메가비트 모바일 D램 개발을 시작으로 올 상반기에는 66나노 최소형 1기가비트 모바일 D램과 최고속 1기가비트 LPDDR2 등 모바일 D램 제품의 생산 비중을 늘여왔다. 현재 하이닉스의 모바일 D램 시장 점유율은 올 상반기 11%였으며 하반기에는 거의 20%대를 바라보고 있다.

하이닉스는 "이번 제품은 모바일 인터넷 디바이스로 대표되는 차세대 애플리케이션에 지원이 가능해 고용량·저전력·고속·소형화로 급변하고 있는 모바일 시장을 선도할 수 있을 것으로 본다"고 밝혔다.

김형욱 기자 [e-mail]
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