삼성전자, 세계 최초 30나노급 3비트·초고속 낸드 양산

지난달 삼성전자가 양산을 시작한 32나노 고속 DDR 낸드 플래시.

삼성전자의 30나노급 낸드 플래시가 3배 더 빨라졌다. 용량 역시 3배 늘어났다. 이를 통해 삼성전자는 30나노급 낸드플래시 전 제품군을 확보, 시장 우위를 더욱 강화할 수 있게 됐다.

1일 삼성전자는 업계 최초로 읽기 속도를 3배 이상 향상시킨 32Gb(기가비트) 고속 낸드플래시와 저장용량을 3배 늘린 32Gb 3비트(bit) 낸드플래시를 지난달 말 양산에 들어갔다고 밝혔다.

고속 낸드플래시는 D램의 고속 데이터 전송 방식인 DDR(Double Data Rate) 인터페이스를 낸드플래시에 적용한 기술이다. 삼성전자는 독자적인 저전력 비동기 DDR 인터페이스 기술을 적용해 소비 전력량을 유지하면서도 기존 SDR(Single Data Rate) 제품 대비 읽기 속도를 3배 이상 빠르게 구현했다.

3비트 낸드플래시는 하나의 셀(Cell)에 3비트 단위의 데이터를 저장할 수 있도록 한 제품이다. 기존 SLC(Single-Level Cell) 제품과 같은 단위 면적에서 3배에 달하는 데이터를 저장할 수 있다.

특히 삼성전자는  지난 3월 30나노급 32Gb MLC 낸드플래시를 양산한 데 이어 이번 두 제품을 양산함으로써 삼성전자는 고객 수요에 따라 차별화된 32Gb 낸드플래시 32Gb 낸드플래시 전 제품군을 확보하게 됐다.

삼성전자 메모리사업부 조수인 부사장은 "세계 최초로 30나노급 32Gb 제품으로 고속 낸드플래시 및 3비트 낸드플래시를 양산함으로써 업계 최고의 양산성을 확보했다"며 "이를 통해 다양한 고성능 모바일 기기의 출시를 적극 지원하고 소비자에게 더 많은 편의성과 효용가치를 제공할 수 있게 됐다"고 밝혔다.

아주경제= 이하늘 기자 [e-mail]
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