이날 ‘메모리반도체 동향 및 로드맵’에 대해 주제발표한 노재성 연구위원은 2D 낸드의 미세공정 한계, 간섭문제 등에 따라 과거와 같은 빗그로스(비트단위환산생산량증가율)가 나오지 않을 것이라면서 3D 낸드의 필요성을 얘기하며 자사의 양산 계획을 언급했다.
이날 노재성 연구위원은 빅데이터와 기기 연결성 확대로 메모리 반도체 수요가 지속적으로 증가할 것이라고 예상하면서 이에 대응한 D램과 낸드플래시 기술 동향을 소개했다.
그는 “D램의 경우 20나노 초반 제품이 생산 또는 준비되고 있는데 20나노 이하 제품을 개발하는 데 비용 문제가 가장 큰 이슈가 될 것으로 예상한다”고 말했다. 그러면서 “TSV 기술이 적용된 신제품들이 새롭게 시장을 견인할 것”이라고 덧붙였다.
그는 또한 자사를 포함해 “D램 기술 성장 속도는 1년에서 1.5년 정도로 차세대 기술 업그레이드가 진행되고 있다”며 “낸드 세대교체 시기는 1년 정도”라고 설명했다.
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