SK하이닉스, 10나노급 6세대 D램 '1c LPDDR6' 개발 …모바일 메모리 기술 경쟁 격화

최신 공정 적용한 1c D램 기반의 LPDDR6 개발 완료

LPDDR5X 대비 데이터 처리 속도 33%, 전력 20% 이상 개선

[사진=아주경제 DB]

SK하이닉스가 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb(기가비트) LPDDR6 D램을 개발하는 데 성공했다고 10일 밝혔다. 인공지능(AI) 기능이 강화된 모바일 기기 확산을 앞두고 차세대 모바일 메모리 기술 경쟁이 본격화되는 가운데, 삼성전자와 SK하이닉스가 시장 선점을 두고 치열한 경쟁을 벌이는 모습이다. 업계에서는 향후 프리미엄 스마트폰을 중심으로 LPDDR6 채택이 확대될 것으로 전망하고 있다.

회사는 지난 1월 CES 전시에서 해당 제품을 공개한 이후 최근 세계 최초로 1c LPDDR6 제품 개발 인증을 완료했다. LPDDR6는 차세대 모바일 D램 규격으로, 스마트폰과 태블릿 등 모바일 기기에 탑재되는 저전력 메모리의 차세대 표준으로 평가된다. 특히 최근 온디바이스 AI 기술이 빠르게 확산되면서 고성능·저전력 모바일 메모리에 대한 수요도 빠르게 증가하는 추세다.

SK하이닉스는 "상반기 내 양산 준비를 마치고, 하반기부터 제품을 공급해 인공지능(AI) 구현에 최적화된 범용 메모리 제품 라인업을 구축해 나갈 것"이라고 강조했다. 회사는 향후 글로벌 모바일 고객사와 협력을 확대해 차세대 모바일 메모리 시장 공략에 속도를 낸다는 계획이다.

이번에 개발된 1c LPDDR6는 '온디바이스 AI'가 탑재된 스마트폰이나 태블릿 같은 모바일 제품에 주로 활용된다. 온디바이스 AI는 클라우드를 거치지 않고 기기 내부에서 직접 AI 연산을 처리하는 방식으로, 높은 연산 성능과 동시에 전력 효율을 요구하는 것이 특징이다.

SK하이닉스는 온디바이스 AI 구현에 최적화하기 위해 기존 제품인 LPDDR5X 대비 데이터 처리 속도와 전력 효율을 크게 개선했다고 설명했다. 이 제품의 데이터 처리 속도는 대역폭 확장을 통해 단위 시간당 전송 데이터량을 늘려 이전 세대보다 33% 향상했다. 동작 속도는 기본 10.7Gbps(초당 10.7기가비트) 이상으로, 이는 기존 LPDDR5X 제품의 최대 동작 속도를 넘어서는 수준이다.

전력은 서브 채널 구조와 DVFS(Dynamic Voltage and Frequency Scaling) 기술을 적용해 이전 세대 제품 대비 20% 이상 절감했다. 모바일 기기의 배터리 효율을 높이면서도 고성능 AI 연산 환경을 구현할 수 있도록 설계한 것이 특징이다.

서브 채널 구조는 필요한 데이터 경로만 선택적으로 동작하도록 하고, 모바일 환경에 따라 주파수와 전압을 조절하는 것이 DVFS 기술의 특징이다. 게임 구동과 같이 고사양이 요구되는 환경에서는 DVFS를 높여 최고 대역폭 동작을 만들어내고, 평상시에는 주파수와 전압을 낮춰 전력 소비를 줄이도록 설계했다.

한편 경쟁사인 삼성전자 역시 차세대 모바일 메모리 개발에 속도를 내고 있다. 업계에서는 AI 기능이 강화된 모바일 기기가 늘어나면서 고성능·저전력 모바일 메모리 수요도 빠르게 증가할 것으로 보고 있으며, 글로벌 메모리 시장 1·2위인 삼성전자와 SK하이닉스 간 기술 경쟁도 한층 치열해질 것으로 전망하고 있다. 특히 온디바이스 AI 확산이 본격화되면서 차세대 모바일 메모리의 성능 경쟁이 스마트폰 시장 경쟁력으로 이어질 것이라는 분석도 나온다.

SK하이닉스는 "앞으로도 고객과 함께 AI 메모리 솔루션을 시장에 적시 공급해 온디바이스 AI 사용자들에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라고 말했다.